量産用シリコン深掘り装置
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
研究開発用シリコン深掘り装置
研究開発用途で、低価格に抑えたMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
300㎜用シリコン深掘り装置
MEMSや3次元貫通電極(TSV)向けの300mm対応量産用シリコン深掘り装置です。
化合物/酸化膜エッチング装置
化合物半導体をはじめ、光デバイスなど難エッチング材料向けをエッチング装置です。
シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置
MEMS用途で、無水HFとアルコールによるシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置です。
大学向けシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置
大学向けMEMS用途で、無水HF(フッ化水素)とアルコールによるシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置です。
シリコン犠牲層エッチング装置
MEMS用途で、XeF2(2フッ化キセノン)によるシリコン犠牲層エッチング装置です。
プラズマ成膜装置
低ストレスシリコン窒化膜や、厚膜シリコン酸化膜の形成用プラズマ成膜装置です。
300mm対応プラズマ成膜装置
300mmウェーハ対応の低ストレスシリコン窒化膜や、TSVライナー絶縁酸化膜の形成に最適なプラズマ成膜装置です。
金属膜成膜装置
拡張性・プロセス自由度が高く、高品質な膜を低保有コストにて実現可能な成膜装置です。
熱処理装置(縦型炉)
多種多様な要求に対して、最適なプロセスを高スループットにて提供可能な熱処理装置です。
量産用シリコン深掘り装置
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
研究開発用シリコン深掘り装置
研究開発用途で、低価格に抑えたMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
300㎜用シリコン深掘り装置
MEMSや3次元貫通電極(TSV)向けの300mm対応量産用シリコン深掘り装置です。
化合物/酸化膜エッチング装置
化合物半導体をはじめ、光デバイスなど難エッチング材料向けをエッチング装置です。
プラズマ成膜装置
低ストレスシリコン窒化膜や、厚膜シリコン酸化膜の形成用プラズマ成膜装置です。
300㎜用プラズマ成膜装置
300mmウェーハ対応の低ストレスシリコン窒化膜や、TSVライナー絶縁酸化膜の形成に最適なプラズマ成膜装置です。
金属膜成膜装置
拡張性・プロセス自由度が高く、高品質な膜を低保有コストにて実現可能な成膜装置です。
Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置
300mmウェーハ対応のSi深掘り、酸化膜・バリア/シード層の形成に最適な統合装置です。
量産用シリコン深掘り装置
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
研究開発用シリコン深掘り装置
研究開発用途で、低価格に抑えたMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
化合物/酸化膜エッチング装置
化合物半導体をはじめ、光デバイスなど難エッチング材料向けをエッチング装置です。
プラズマ成膜装置
低ストレスシリコン窒化膜や、厚膜シリコン酸化膜の形成用プラズマ成膜装置です。
金属膜成膜装置
拡張性・プロセス自由度が高く、高品質な膜を低保有コストにて実現可能な成膜装置です。
熱処理装置(縦型炉)
多種多様な要求に対して、最適なプロセスを高スループットにて提供可能な熱処理装置です。
量産用シリコン深掘り装置
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
研究開発用シリコン深掘り装置
研究開発用途で、低価格に抑えたMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
化合物/酸化膜エッチング装置
化合物半導体をはじめ、光デバイスなど難エッチング材料向けをエッチング装置です。
プラズマ成膜装置
低ストレスシリコン窒化膜や、厚膜シリコン酸化膜の形成用プラズマ成膜装置です。
金属膜成膜装置
拡張性・プロセス自由度が高く、高品質な膜を低保有コストにて実現可能な成膜装置です。
熱処理装置(縦型炉)
多種多様な要求に対して、最適なプロセスを高スループットにて提供可能な熱処理装置です。
量産用シリコン深掘り装置
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
研究開発用シリコン深掘り装置
研究開発用途で、低価格に抑えたMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
化合物/酸化膜エッチング装置
化合物半導体をはじめ、光デバイスなど難エッチング材料向けをエッチング装置です。
プラズマ成膜装置
低ストレスシリコン窒化膜や、厚膜シリコン酸化膜の形成用プラズマ成膜装置です。
金属膜成膜装置
拡張性・プロセス自由度が高く、高品質な膜を低保有コストにて実現可能な成膜装置です。